[发明专利]三维存储器阵列

权利要求书

1.一种三维存储器阵列，包括：

多个字元线层，每一个字元线层具有沿一第一方向交替排列的多条字元线及多个间隙，所述多个间隙包括交替排列的一第一群间隙与一第二群间隙；

一第一位元线层，配置在所述多个字元线层的上方且具有沿一第二方向排列的多条位元线，该第二方向与该第一方向垂直；

一第一导电柱阵列，延伸穿过所述多个字元线层并与该第一位元线层电性连接，该第一导电柱阵列包括多个第一导电柱，所述多个第一导电柱配置在该第一群间隙中，且每一个第一导电柱与一字元线层中与该第一导电柱邻接的一字元线之间配置有一第一存储器构件；

一第二位元线层，配置在所述多个字元线层的下方且具有沿该第二方向排列的多条第二位元线；以及

一第二导电柱阵列，延伸穿过所述多个字元线层并与该第二位元线层电性连接，该第二导电柱阵列包括多个第二导电柱，所述多个第二导电柱配置在该第二群间隙中，且每一个第二导电柱与一字元线层中与该第二导电柱邻接的一字元线之间配置有一第二存储器构件。

2.如权利要求1所述的三维存储器阵列，其特征在于，该三维存储器阵列还包括多个导电插塞，每一个导电插塞配置在对应的该第一导电柱与该第一位元线层之间，该第一导电柱阵列通过所述多个导电插塞与该第一位元线层电性连接。

3.如权利要求2所述的三维存储器阵列，其特征在于，每一个导电插塞是由一导电层以及环绕该导电层的侧壁及底部的一阻障层所构成。

4.如权利要求1所述的三维存储器阵列，其特征在于，该第一存储器构件与该第二存储器构件为单层或多层结构。

5.如权利要求1所述的三维存储器阵列，其特征在于，该第一存储器构件与该第二存储器构件的材料相同。

6.如权利要求1所述的三维存储器阵列，其特征在于，该第一存储器构件与该第二存储器构件的材料包括一介电材料。

7.如权利要求6所述的三维存储器阵列，其特征在于，该介电材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化铪或其组合。

8.如权利要求1所述的三维存储器阵列，其特征在于，各该第一存储器构件环绕对应的该第一导电柱而配置，且各该第二存储器构件环绕对应的该第二导电柱而配置。

9.如权利要求1所述的三维存储器阵列，其特征在于，该三维存储器阵列还包括一绝缘层，配置在所述多个字元线层、该第一位元线层、该第二位元线层、该第一导电柱阵列与该第二导电柱阵列之间的剩余空间中。

10.如权利要求1所述的三维存储器阵列，其特征在于，该三维存储器阵列的记忆胞的最小尺寸为2F2。

11.一种三维存储器阵列，包括：

多个字元线层，每一个字元线层具有沿一第一方向交替排列的多条字元线及多个间隙，所述多个间隙包括交替排列的一第一群间隙与一第二群间隙；

一第一位元线层，配置在所述多个字元线层的上方且具有沿一第二方向排列的多条位元线，该第二方向与该第一方向垂直；

一第一导电柱阵列，延伸穿过所述多个字元线层并与该第一位元线层电性连接，该第一导电柱阵列包括多个第一导电柱，所述多个第一导电柱配置在该第一群间隙中，且每一个第一导电柱与一字元线层中与该第一导电柱邻接的一字元线之间配置有一第一存储器构件；

一第二位元线层，配置在该第一位元线层的上方且具有沿该第二方向排列的多条第二位元线，其中所述多个第一位元线与所述多个第二位元线交替排列；以及

一第二导电柱阵列，延伸穿过所述多个字元线层并与该第二位元线层电性连接，该第二导电柱阵列包括多个第二导电柱，所述多个第二导电柱配置在该第二群间隙中，且每一个第二导电柱与一字元线层中与该第二导电柱邻接的一字元线之间配置有一第二存储器构件，其中所述多个第一导电柱与所述多个第二导电柱交错排列。

12.如权利要求11所述的三维存储器阵列，其特征在于，该第一存储器构件与该二存储器构件为单层或多层结构。

13.如权利要求11所述的三维存储器阵列，其特征在于，该第一存储器构件与该第二存储器构件的材料相同或不同。

14.如权利要求11所述的三维存储器阵列，其特征在于，该第一存储器构件与该第二存储器构件的材料包括一介电材料。