[发明专利]发光二极管封装结构的制作方法有效
| 申请号： | 201110198263.4 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102231421A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 杨华;卢鹏志;谢海忠;于飞;郑怀文;薛斌;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/38 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种发光二极管封装结构的制作方法，包括以下步骤：在绝缘衬底上利用金属有机物气相外延的方法依次生长n型层、有源层和p型层；光刻在p型层上面的一侧向下到达n型层的表面形成第一台面，在另一侧向下刻蚀到达绝缘衬底的表面，形成第二台面；在第一、二台面上制作导电通孔并填充导电金属；在靠近第二台面的一侧并覆盖部分p型层的上表面，制作绝缘层；在绝缘层上并覆盖绝缘层制作p电极；在第一台面上的导电通孔上制作n电极；将绝缘衬底减薄；在绝缘衬底的背面的两侧分别制作第一背电极和第二背电极，以上得到器件的基底；在器件的基底上封装一光学元件，完成基底上器件的制作；采用机械方式将基底上器件切割成独立的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管封装结构的制作方法，包括以下步骤：1)在绝缘衬底上利用金属有机物气相外延的方法依次生长n型层、有源层和p型层，形成外延层；2)采用光刻工艺在p型层上面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达n型层的表面形成第一台面，在p型层上面的另一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达绝缘衬底的表面，形成第二台面；3)在第一台面及第二台面上制作导电通孔，在导电通孔内填充导电金属；4)在靠近第二台面外延层的一侧并覆盖部分p型层的上表面，制作绝缘层；5)在绝缘层上并覆盖绝缘层制作p电极，该p电极覆盖部分p型层，并与导电通孔中的导电金属连接；6)在第一台面上的导电通孔上制作n电极，该n电极与导电通孔中的导电金属连接；7)将绝缘衬底减薄；8)在减薄后的绝缘衬底的背面的两侧分别制作第一背电极和第二背电极，该第一背电极和第二背电极分别通过导电通孔中的导电金属与p电极和n电极连接，以上得到器件的基底；9)在器件的基底上封装一光学元件，完成基底上器件的制作；10)采用机械方式将基底上器件切割成独立的器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110198263.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
