[发明专利]半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110196557.3 | 申请日： | 2011-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102315352A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 梁钟隣;金泰亨;李时赫;宋尚烨;孙哲守;金学焕;李镇贤 | 申请（专利权）人： | 三星LED株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括：第一电极层、绝缘层、第二电极层、第二半导体层、活性层和第一半导体层，顺序地堆叠在基底上；第一接触件和第二接触件，第一接触件穿过基底以电连接到第一电极层，第二接触件穿过基底、第一电极层和绝缘层以与第二电极层连通。第一电极层通过填充穿过第二电极层、第二半导体层和活性层的接触孔来电连接到第一半导体层，绝缘层围绕接触孔的内圆周表面以使第一电极层与第二电极层绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括：顺序地堆叠在基底上的第一电极层、绝缘层、第二电极层、第二半导体层、活性层和第一半导体层；第一接触件和第二接触件，第一接触件穿过基底以电连接到第一电极层，第二接触件穿过基底、第一电极层和绝缘层以与第二电极层连通，其中，第一电极层填充在穿过第二电极层、第二半导体层和活性层的接触孔中，以电连接到第一半导体层，其中，绝缘层设置在接触孔的内圆周表面上，以使第一电极层与第二电极层绝缘。
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