[发明专利]用于晶体生长的温场系统无效
申请号: | 201110194550.8 | 申请日: | 2011-07-12 |
公开(公告)号: | CN102268731A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 郑伟;程亮;李红军;徐军 | 申请(专利权)人: | 协鑫光电科技(张家港)有限公司 |
主分类号: | C30B29/20 | 分类号: | C30B29/20;C30B35/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 黄灿;刘伟 |
地址: | 215600 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种用于晶体生长的温场系统,包括:一碳毡材料的第一保温筒,包括碳毡保温侧筒(1)、碳毡保温上盖(2)和碳毡保温底部(3),所述碳毡保温上盖(2)和所述碳毡保温底部(3)分别设置在所述碳毡保温侧筒(1)的两端,通过所述碳毡保温侧筒(1)、所述碳毡保温上盖(2)和所述碳毡保温底部(3)形成一密闭空间;一坩埚(4),通过支撑柱(5)设置在所述碳毡保温底部(3)上,所述坩埚(4)位于所述密闭空间内;一用于对所述坩埚(4)进行加热的加热装置(6),设置在所述密闭空间内。可提高温场系统稳定性和使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 用于 晶体生长 系统 | ||
【主权项】:
一种用于晶体生长的温场系统,其特征在于,包括:一碳毡材料的第一保温筒,包括碳毡保温侧筒(1)、碳毡保温上盖(2)和碳毡保温底部(3),所述碳毡保温上盖(2)和所述碳毡保温底部(3)分别设置在所述碳毡保温侧筒(1)的两端,通过所述碳毡保温侧筒(1)、所述碳毡保温上盖(2)和所述碳毡保温底部(3)形成一密闭空间;一坩埚(4),通过支撑柱(5)设置在所述碳毡保温底部(3)上,所述坩埚(4)位于所述密闭空间内;一用于对所述坩埚(4)进行加热的加热装置(6),设置在所述密闭空间内。
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