[发明专利]硅太阳能电池金属半导体接触合金化制备工艺无效
| 申请号： | 201110188264.0 | 申请日： | 2011-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN102263164A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 单文光;黄华松;曹楚辉;陆昱;谢正芳;杨雪;张蓝月;李良;高彦秋;吴立望;刘为举 | 申请（专利权）人： | 杨雪 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;B23K26/00 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 金辉 |
| 地址： | 213161 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅太阳能电池金属半导体接触合金化制备工艺，步骤如下：a、将硅片清洗制绒；b、扩散；c、去边结和去磷硅玻璃；d、在硅片正面镀减反膜；e、在硅片正面制作金属电极；f、用激光从硅片反面照射金属电极；g、在硅片反面制作背面电极；h、加热。本发明提供了一种能有效减小硅片和金属电极之间的欧姆接触电阻的硅太阳能电池金属半导体接触合金化制备工艺，其无需高温烧结，并能降低电池的串联电阻，提高太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 金属 半导体 接触 合金 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种硅太阳能电池金属半导体接触合金化制备工艺，其特征在于制备步骤如下：a、将硅片(1)清洗制绒；b、扩散；c、去边结和去磷硅玻璃；d、在硅片(1)正面镀减反膜(2)；e、在硅片(1)正面制作金属电极(3)；f、用激光(4)从硅片(1)反面照射金属电极(3)；g、在硅片(1)反面制作背面电极；h、在硅片(1)反面制作背面电场；i、加热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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