[发明专利]一种双晶体管零电容动态RAM的制备方法

摘要

本发明公开了一种双晶体管零电容动态RAM的制备方法，本发明的目的是提供一种具有可制造性设计的基于绝缘体上硅的后栅极工艺制造的双晶体管零电容动态RAM的制备方法，在工艺上通过自对准有效实现不同于常规CMOS工艺的T1源漏与栅极有较大的交叠Overlap和T2源漏与栅极有较大的距离Underlap特性，适用于45nm以下的采用后栅极工艺的高介电常数氧化层金属栅的集成电路制备中，具体通过离子注入调节T1和T2的栅靠近源和漏处的功函数，或者栅下靠近源极和漏极的沟道区域的掺杂类型，使得T1的沟道区域中靠近源极和漏极的沟道区域在不加栅压情况下反型为与源漏区相同类型，并使得T2的源极和漏极的栅下扩散区域在不加栅压情况下反型为与源漏区相反类型。

主权项

一种双晶体管零电容动态RAM的制备方法，其中的双晶体管为形成在共同衬底上的两个级联MOS晶体管T1和T2，其特征在于，包括前备工序，所述前备工序包括：在T1和T2各自源漏极间的沟道表面分别形成有薄氧化层；在薄氧化层上方通过附加样本栅湿回蚀分别形成有T1和T2各自的栅极沟槽，并分别在T1和T2各自的栅极沟槽中形成有高介电层和其上方的金属氧化物介电材料层；通过T1、T2各自栅极沟槽的开口，通过离子注入分别改变T1、T2所包含的金属氧化物电介材料层靠近源极和漏极的两端的功函数，以使T1沟道区域中靠近源极和漏极的区域在不加栅压情况下反型为与源漏区相同的掺杂类型，T2沟道区域中靠近源极和漏极的区域在不加栅压情况下反型为与源漏区相反的掺杂类型。