[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110152109.3 | 申请日： | 2011-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN102543944A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 金亨涣;林性洙;朴星恩;表承锡;姜旼澈 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L27/108;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件和一种形成半导体器件的方法，所述半导体器件包括由镶嵌图案分隔开的多个第一导电图案、掩埋在所述镶嵌图案中的第二导电图案以及处在所述第二导电图案与所述第一导电图案之间的包含有气隙的间隔件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：多个第一导电图案，所述多个第一导电图案由镶嵌图案分隔开；第二导电图案，所述第二导电图案掩埋在所述镶嵌图案中；以及间隔件，所述间隔件处在所述第二导电图案与所述第一导电图案之间并包含有气隙。
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