[发明专利]一种半导体结构的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上形成栅极介质层，在所述栅极介质层上形成伪栅结构，所述伪栅结构采用聚合物材料形成；对所述伪栅结构两侧的衬底注入杂质形成源/漏区；去除所述伪栅结构；对所述源/漏区进行退火，以激活杂质；形成金属栅极。本发明通过采用聚合物材料制造伪栅结构，大大简化了后续去除伪栅结构时的刻蚀工艺，降低了刻蚀难度。

主权项

一种形成半导体结构方法，其中，包括以下步骤：a）提供衬底（100）；b）在所述衬底（100）上形成栅极介质层（210），在所述栅极介质层（210）上形成伪栅结构（220），所述伪栅结构（220）采用聚合物材料形成；c）对所述伪栅结构（220）两侧的衬底（100）注入杂质形成源/漏区（110）；d）去除所述伪栅结构（220）；e）对所述源/漏区（110）进行退火，以激活所述杂质；f）形成金属栅极。