[发明专利]一种氮化物LED结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201110112525.0 | 申请日： | 2011-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN102185057A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 于洪波;肖德元;程蒙召;张汝京 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物LED结构，其在多量子阱有源层与电子阻挡层之间插入P型掺杂的InGaN/GaN超晶格结构，从而可提高空穴浓度，降低P型空穴注入层的掺杂浓度；由于该超晶格结构具有极化效应，从而可提高其掺杂效率，降低P型杂质的浓度；减少了杂质原子向势阱中扩散，提高了器件的内量子效率和发光效率；还公开了一种氮化物LED结构的制备方法，通过在多量子阱有源层与电子阻挡层之间插入P型掺杂的InGaN/GaN超晶格结构，从而可提高空穴浓度，降低P型空穴注入层的掺杂浓度；由于该超晶格结构具有极化效应，从而可提高其掺杂效率，降低P型杂质的浓度；减少了杂质原子向势阱中扩散，提高了器件的内量子效率和发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 led 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物LED结构，至少包括N型电子注入层、P型空穴注入层以及夹在所述N型电子注入层与所述P型空穴注入层之间的多量子阱有源层，且所述多量子阱有源层与所述P型空穴注入层之间设置有一电子阻挡层，其特征在于，所述多量子阱有源层与所述电子阻挡层之间还设置有多个周期的P型掺杂的InGaN/GaN超晶格结构。
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