[发明专利]一种薄膜晶体管有源层及其生长方法无效
| 申请号： | 201110112347.1 | 申请日： | 2011-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN102208441A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 卢红亮;陈佳;王鹏飞;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/336;C23C16/44;C23C16/40;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管有源层及其生长方法。本发明提出的薄膜晶体管为由ZnO掺杂Hf元素的HfZnO薄膜，其生长方法包括：用原子层淀积技术在基板上周期性地生长HfO2和ZnO薄膜，得到特定厚度的HfZnO有源沟道层。本发明方法所淀积的薄膜具有薄膜厚度的精确控制性，优异的保形性，良好的界面控制能力，极好的大面积均匀性，可以减少薄膜的缺陷密度，因此可大大降低沟道层中的缺陷以及介质层和沟道层界面处的缺陷，最终提高TFT的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 有源 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管有源层，其特征在于为由ZnO掺杂Hf元素的HfZnO薄膜。
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