[发明专利]一种薄膜晶体管有源层及其生长方法无效
| 申请号： | 201110112347.1 | 申请日： | 2011-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN102208441A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 卢红亮;陈佳;王鹏飞;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/336;C23C16/44;C23C16/40;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 有源 及其 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜晶体管有源层，其特征在于为由ZnO掺杂Hf元素的HfZnO薄膜。
2.一种薄膜晶体管有源层的生长方法，采用原子层淀积方法，其特征在于具体步骤为：提供一个半导体衬底，在原子层淀积反应腔中，对于每个生长周期，交替脉冲式地通入Hf源、Zn源和去离子水，交替地生长HfO2和ZnO，通过控制原子层淀积的生长周期，最终形成所需的HfZnO有源层薄膜，反应衬底温度为150-300 oC，反应腔的工作压强保持在2-5 torr。
3.根据权利要求2的生长方法，其特征在于，形成HfZnO有源层所需要的Hf源、Zn源分别为Hf[N(C2H5)(CH3)]4 和Zn(C2H5) 。
4.根据权利要求2的生长方法，其特征在于，形成HfZnO有源层所需要的Hf源、Zn源的原子层淀积的脉冲时间分别为1-5秒和0.2-1秒，吹洗时间分别为1-5秒和1-5秒。
5.一种使用如权利要求2所述方法生长的由ZnO掺杂Hf元素的HfZnO薄膜作为有源沟道层的薄膜晶体管。
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