[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201110110462.5 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102254574A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 金炯锡 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储器件，包括：存储串，所述存储串与位线耦接；页缓冲器，所述页缓冲器被配置为在擦除验证操作或编程验证操作中感测位线的感测电流；以及感测控制电路，所述感测控制电路被配置为在擦除验证操作和编程验证操作中不同地设置感测电流的电平，以便感测存储串中的选中的存储单元的阈值电压电平。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：存储串，所述存储串与位线耦接；页缓冲器，所述页缓冲器被配置为在擦除验证操作或编程验证操作中感测所述位线的感测电流；以及感测控制电路，所述感测控制电路被配置为在所述擦除验证操作和所述编程验证操作中不同地设置所述感测电流的电平，以便感测所述存储串中选中的存储单元的阈值电压电平。
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