[发明专利]叉指状紫外增强型选择性硅光电二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种叉指状紫外增强型选择性硅光电二极管及其制作方法。所述的光电二极管包括P型衬底，P型衬底上设有n阱，n阱上的感光窗口为叉指状或叉指状结构的阵列排布，叉指结构的掺杂类型为n型和p型相间。本发明采用叉指结构的阵列排布，光电二极管的耗尽层面积增加，紫外光的吸收系数得到提高，大大提高了紫外硅选择性光电二极管在响应度和量子效率方面的性能，在紫外探测器中有广泛的应用前景。

主权项

一种高速增强型紫外硅选择性雪崩光电二极管，包括P型衬底，P型衬底上设有n阱，其特征在于：n阱上的感光窗口为叉指状结构，叉指状结构的掺杂类型为n型和p型相间。