[发明专利]一种半导体装置有效
| 申请号： | 201110076756.0 | 申请日： | 2011-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102694020A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 朱建文;陈永初;吴锡垣 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置。该半导体装置包括一源极区域、一漏极区域与一漂移区域，漂移区域位于源极区域与漏极区域之间。分离栅极设置于漂移区域的一部分之上，且分离栅极位于源极区域与漏极区域之间。分离栅极包括一第一栅极电极与一第二栅极电极，第一栅极电极与第二栅极电极通过一栅极氧化层分离。自对准降低表面电场区域设置于漂移区域，在源极区域与漏极区域之间。多晶硅/绝缘层栅极结构包括一靠近漏极区域之上多晶硅层。上多晶硅层可作为硬掩模以形成双降低表面电场结构，从而使双降低表面电场结构自对准。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一源极区域，于一衬底上；一漏极区域，于该衬底上；一漂移区域，位于该源极区域与该漏极区域之间；一分离栅极，设置于该漂移区域的一部分之上，且该分离栅极位于该源极区域与该漏极区域之间，该分离栅极包括一第一栅极电极与一第二栅极电极，该第一栅极电极与该第二栅极电极通过一栅极氧化层分离；以及一栅极区域，设置于该漂移区域与该漏极区域之间，该栅极区域包括一上多晶硅层。
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