[发明专利]有机阻变型存储单元、存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种有机阻变型存储单元、存储器及其制备方法。本发明的有机阻变型存储单元，采用高功函数的金属或导电聚合物为阳极，低功函数的金属为阴极。阳极和有机半导体层之间形成欧姆接触，而阴极和有机半导体层之间形成肖特基接触，从而使该有机阻变型存储单元具有自整流性能。本发明在不明显提高成本和工艺复杂度的前提下，消除了有机阻变型存储单元的误读现象。

主权项

一种有机阻变型存储单元，其特征在于，该有机阻变型存储单元包括：绝缘衬底；形成于所述绝缘衬底上的阳极层，该阳极层由高功函数材料构成；形成于所述阳极层上的有机阻变功能层；以及形成于所述阻变功能层上的阴极层，该阴极层由低功函数材料构成。