[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，能使在ESD保护元件上产生的热迅速且高效地向半导体装置外部散热。该半导体装置(1)包括：具有漏极区域(4)、源极区域(6)和栅电极(7)的MOSFET型ESD保护元件，和热扩散部。在漏极区域上形成的热扩散部包括与垫片电连接的金属层(13)以及连接漏极区域和金属层的接点(12)。金属层包括沿栅电极延伸的第一金属配线(21)和与其垂直交叉的第二金属配线(22)。接点与第一金属配线和第二金属配线的交叉部连接。在ESD保护元件的pn结合部产生、由接点传导的热在金属层中通过第一金属配线和第二金属配线同时向三个方向扩散，向垫片散热。

主权项

一种半导体装置，包括具有形成第一pn结合部的第一半导体区域和第二半导体区域的静电放电保护元件，上述第一半导体区域和第二半导体区域位于浅槽隔离区域之间，其特征在于，包括：在上述静电放电保护元件上方形成的第一金属层，上述第一金属层在上述浅槽隔离区域所包围的区域之外的位置与垫片电连接，和在上述浅槽隔离区域之间的位置与上述第一半导体区域和上述第一金属层连接的多个第一接点，上述第一金属层具有：沿向上述第一pn结合部延伸的第一方向延伸的至少1根第一金属配线；和与上述第一金属配线交叉的多根第二金属配线，上述第一接点与上述第一金属配线和上述第二金属配线交叉的交叉部连接。