[发明专利]处理碳化硅衬底改善外延沉积的方法与形成的结构和器件有效
| 申请号： | 201110068455.3 | 申请日： | 2003-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN102163664A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 戴维斯·安德鲁·麦克卢尔;亚历山大·苏沃洛夫;约翰·亚当·埃德蒙;小戴维·比尔兹利·斯莱特 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20;H01L21/265;C30B29/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了处理碳化硅衬底改善外延沉积的方法与形成的结构和器件。电子器件，包括：碳化硅衬底，具有第一和第二表面，并且具有预定的导电类型以及掺杂浓度；注入掺杂原子区，从所述第一表面延伸进入所述碳化硅衬底至预定距离，所述区域的掺杂浓度比所述衬底剩余部分的掺杂浓度高；以及位于所述导电碳化硅衬底的第一表面上的导电缓冲区；位于所述导电缓冲区上的有源区；位于所述有源区上的第一电接触；以及位于所述碳化硅衬底的第二表面上的第二电接触。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 碳化硅 衬底 改善 外延 沉积 方法 形成 结构 器件 | ||
【主权项】：
一种电子器件，包括：碳化硅衬底，具有第一和第二表面，并且具有预定的导电类型以及掺杂浓度；注入掺杂原子区，从所述第一表面延伸进入所述碳化硅衬底至预定距离，所述区域的掺杂浓度比所述衬底剩余部分的掺杂浓度高；以及位于所述导电碳化硅衬底的第一表面上的导电缓冲区；位于所述导电缓冲区上的有源区；位于所述有源区上的第一电接触；以及位于所述碳化硅衬底的第二表面上的第二电接触。
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