[发明专利]一种碳微纳集成结构的制备方法无效
| 申请号： | 201110066622.0 | 申请日： | 2011-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN102135729A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 汤自荣;习爽;史铁林;张雷;刘丹 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳微纳集成结构的制备方法，在光刻胶中掺入碳纳米管CNT，使CNT均匀地分布在微结构内部和表面；显影时，在显影液中掺入CNT，光刻胶在溶解过程中发生交联反应，显影液中的CNT自组装到微柱表面，增加了CNT的覆盖率。本发明使用纳结构对碳微结构进行修饰，极大地提高碳微结构的表面积，改进导电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳微纳 集成 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳微纳集成结构的制备方法，具体为： (1) 将碳纳米管掺杂于光刻胶中；(2) 将掺杂后的光刻胶旋涂于硅基片上，旋涂后作前烘处理；(3) 对前烘处理后的硅基片曝光，曝光后作中烘处理；(4) 采用混合有碳纳米管的显影液对中烘处理后的硅基片进行显影，显影后作后烘处理；(5) 对后烘处理的硅基片热解即得碳微纳集成结构。
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