[发明专利]沟槽式肖特基二极管及其制作方法

摘要

本发明公开一种沟槽式肖特基二极管及其制作方法。该方法包括下列步骤：提供半导体基板，并形成多个沟槽结构，其中部分的沟槽结构底部有多个注入区域；形成栅极氧化层覆盖于该多个沟槽结构与该半导体基板的表面；形成多晶硅结构覆盖于该栅极氧化层；对该多晶硅结构进行蚀刻，使得该多晶硅结构覆盖于该多个沟槽结构；形成掩模层覆盖于部分的该多个沟槽结构与部分基板上的栅极氧化层，并露出部分该半导体基板的表面；于该掩模层与部分的该半导体基板表面形成金属溅镀层。

主权项

一种沟槽式肖特基二极管制作方法，该方法包括下列步骤：提供半导体基板；于该半导体基板上形成多个沟槽结构，其中该多个沟槽结构可区分为第一类沟槽结构与第二类沟槽结构，该第一类沟槽结构的开口大于该第二类沟槽结构的开口；于该半导体基板中该第一类沟槽结构的底部形成多个注入区域；于该半导体基板的表面以及该多个沟槽结构的表面上形成栅极氧化层；于该栅极氧化层上形成多晶硅结构；对该多晶硅结构进行蚀刻，使得该多晶硅结构覆盖于该多个沟槽结构内的该栅极氧化层上；形成掩模层，覆盖于该第一类沟槽结构中的该多个多晶硅结构以及该栅极氧化层上；蚀刻该半导体基板，并露出未被该罩幕层覆盖的该半导体基板的表面；以及金属溅镀层，覆盖于部分的该半导体基板的表面、该第二类沟槽结构中的该多个多晶硅结构、以及部分的该掩模层。