[发明专利]沟槽式肖特基二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种沟槽式肖特基二极管制作方法，该方法包括下列步骤：

提供半导体基板；

于该半导体基板上形成多个沟槽结构，其中该多个沟槽结构可区分为第一类沟槽结构与第二类沟槽结构，该第一类沟槽结构的开口大于该第二类沟槽结构的开口；

于该半导体基板中该第一类沟槽结构的底部形成多个注入区域；

于该半导体基板的表面以及该多个沟槽结构的表面上形成栅极氧化层；

于该栅极氧化层上形成多晶硅结构；

对该多晶硅结构进行蚀刻，使得该多晶硅结构覆盖于该多个沟槽结构内的该栅极氧化层上；

形成掩模层，覆盖于该第一类沟槽结构中的该多个多晶硅结构以及该栅极氧化层上；

蚀刻该半导体基板，并露出未被该罩幕层覆盖的该半导体基板的表面；以及

金属溅镀层，覆盖于部分的该半导体基板的表面、该第二类沟槽结构中的该多个多晶硅结构、以及部分的该掩模层。

2.如权利要求1所述的沟槽式肖特基二极管制作方法，其中该半导体基板包括高掺杂浓度的硅基板与低掺杂浓度的外延层。

3.如权利要求1所述的沟槽式肖特基二极管制作方法，其中形成该多个沟槽结构包括下列步骤：

进行热氧化工艺，而于该半导体基板的表面上形成第一氧化层；

于该第一氧化层上形成第一光致抗蚀剂层，且定义该第一光致抗蚀剂层具有第一光致抗蚀剂图案；

根据该第一光致抗蚀剂图案对该第一氧化层进行蚀刻，以将该第一光致抗蚀剂图案转移至该第一氧化层；以及

以该第一氧化层为掩模，对该半导体基板进行蚀刻并形成该多个沟槽结构。

4.如权利要求1所述的沟槽式肖特基二极管制作方法，其中该多晶硅结构是以化学气相沉积工艺，并形成于该栅极氧化层上。

5.如权利要求1所述的沟槽式肖特基二极管制作方法，其中形成该多个注入区域包括下列步骤：

于该多个沟槽结构内形成第二氧化层；

利用该化学气相沉积工艺形成第三氧化层，覆盖于该第一氧化层和该第二氧化层，并使得该第三氧化层填满该第二类沟槽结构；

蚀刻该第三氧化层，使得该第一类沟槽结构的该第三氧化层变薄或者消失；

进行离子注入工艺以及驱入工艺，并于该第一类沟槽结构的底部形成该多个注入区域，且该多个注入区域为多个P型注入区域；以及

蚀刻该第一氧化层、该第二氧化层与该第三氧化层。

6.如权利要求1所述的沟槽式肖特基二极管制作方法，其中形成该掩模层包括下列步骤：

以该化学气相沉积工艺，而于该多晶硅结构上与该栅极氧化层上形成第四氧化层；

于该第四氧化层上形成第二光致抗蚀剂层，且定义该第二光致抗蚀剂层具有第二光致抗蚀剂图案；

根据该第二光致抗蚀剂图案对该第四氧化层进行接触蚀刻工艺以形成该掩模层，并将部分的该半导体基板、该第二类沟槽结构中的该多晶硅结构表面加以露出；以及

除去蚀刻后的该第二光致抗蚀剂层。

7.如权利要求1所述的沟槽式肖特基二极管制作方法，其中形成该金属溅镀层包括下列步骤：

于该掩模层、部分的该半导体基板、该第二类沟槽结构中的该多晶硅结构表面进行金属溅镀工艺，以形成第一金属层；以及

于该第一金属层上进行该金属溅镀工艺，以形成第二金属层，而该第一金属层与该第二金属层构成为该金属溅镀层。

8.如权利要求7所述的沟槽式肖特基二极管制作方法，其中该第一金属层以钛金属而完成，而该第二金属层为铝、硅、铜的合金。

9.如权利要求1所述的沟槽式肖特基二极管制作方法，其中该方法包括下列步骤：

于该金属溅镀层上形成第三光致抗蚀剂层，且定义该第三光致抗蚀剂层具有第三光致抗蚀剂图案；

根据该第三光致抗蚀剂图案对部分的该金属溅镀层进行金属蚀刻工艺，以将该掩模层的部分表面加以露出；以及

除去蚀刻后的该第三光致抗蚀剂层。