[发明专利]半导体存储装置

摘要

本发明的半导体存储装置，具备：存储单元阵列1，其形成有根据读出电平可保持数据的存储单元MC；控制部9，其对向上述存储单元MC写入的次数N(N为0以上的整数)计数，根据该次数向上述存储单元传送写入电压Vpgm及读出电压Vcgr；以及电压发生电路，其用上述写入电压写入数据，发生上述读出电压，并读出数据；在有写入请求时，发生上述读出电压，读出上述数据，使上述电压发生电路发生向比读出的阈值电压高的阈值电压转变的上述写入电压，对上述存储单元的上述次数的第N次(≥2)的写入请求达到规定值时，上述控制部删除上述存储单元保持的上述数据。

主权项

一种半导体存储装置，其特征在于，具备：存储单元阵列，其沿行及列方向形成有根据读出电平可保持″0″或″1″的数据的存储单元；控制部，其对向上述存储单元连续写入上述数据的次数N(N为0以上的整数)计数，根据该次数N，向上述存储单元传送可变的写入电压及读出电压；以及电压发生电路，其发生上述写入电压，用上述写入电压向上述存储单元写入至少″1″比特数据，发生上述读出电压，从上述存储单元读出至少″1″比特数据；其中，在对上述存储单元有上述次数的第N次(≥2)的写入请求时，上述控制部使上述电压发生电路发生与第(N‑1)次对应的上述读出电压，根据该读出电压从上述存储单元读出上述″1″比特数据，根据与上述写入请求对应的上述数据，使上述电压发生电路发生向比上述第(N‑1)次的读出中读出的上述存储单元的阈值电压高的阈值电压转变的上述写入电压，在对上述存储单元的上述次数的第N次(≥2)的写入请求达到规定值时，上述控制部删除上述存储单元保持的上述数据。