[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于，具备：

存储单元阵列，其沿行及列方向形成有根据读出电平可保持″0″或″1″的数据的存储单元；

控制部，其对向上述存储单元连续写入上述数据的次数N(N为0以上的整数)计数，根据该次数N，向上述存储单元传送可变的写入电压及读出电压；以及

电压发生电路，其发生上述写入电压，用上述写入电压向上述存储单元写入至少″1″比特数据，发生上述读出电压，从上述存储单元读出至少″1″比特数据；

其中，

在对上述存储单元有上述次数的第N次(≥2)的写入请求时，

上述控制部使上述电压发生电路发生与第(N-1)次对应的上述读出电压，根据该读出电压从上述存储单元读出上述″1″比特数据，

根据与上述写入请求对应的上述数据，使上述电压发生电路发生向比上述第(N-1)次的读出中读出的上述存储单元的阈值电压高的阈值电压转变的上述写入电压，

在对上述存储单元的上述次数的第N次(≥2)的写入请求达到规定值时，上述控制部删除上述存储单元保持的上述数据。

2.权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

上述存储单元被设为可从阈值电压低的一方以第1状态、第2状态及第3状态的顺序转变为相互隔离的其中一个的状态分布，

上述控制部保持可向上述存储单元连续写入上述数据的最大覆写次数，

上述控制部根据上述第1状态的上侧阈值电压和上述第2状态的下侧阈值电压的电位差，或上述第2状态的上侧阈值电压和上述第3状态的下侧阈值电压的电位差，使上述最大覆写次数减一。

3.权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

上述第(N-1)次的读出中，上述存储单元保持″1″数据，在上述第N次的上述写入请求的上述数据为″0″数据时，将上述存储单元的沟道的电位设为比零电位大的值，

施加了上述写入电压的上述存储单元的上述阈值电压被固定。

4.权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

在上述″1″比特数据的读出的结果为上述存储单元的阈值电压比上述第(N-1)次的读出电压小的场合，

上述控制部将上述存储单元的上述阈值电压转变为比上述第(N-1)次的读出电压高的阈值电压后，对上述存储单元执行上述第N次的写入。

5.权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

上述次数N由上述控制部按每个块单位被管理，上述块单位是包含多个上述存储单元阵列的、写入上述存储单元的上述数据的删除单位。

6.权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

上述存储单元包含整流元件和可转变为多个阻抗状态的可变阻抗元件，

上述电压发生电路包含根据上述阻抗状态读出流过上述存储单元的电流的读出放大器，

上述控制部根据上述次数N及上述读出放大器读出的上述电流，读出上述存储单元保持的上述数据。

7.权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

上述次数N由上述控制部按每个块单位被管理，上述块单位是包含多个上述存储单元阵列的、写入上述存储单元的上述数据的删除单位，

在上述块内设置的上述存储单元全部保持″1″数据时，上述控制部对上述存储单元执行上述第N次的写入。

8.权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

上述存储单元可保持4值数据或根据上述读出电平保持″0″或″1″的2值数据，

上述控制部可切换为根据上述读出电平从上述存储单元读出″0″或″1″的上述数据的第1方式或读出上述4值数据中任一上述数据的第2方式。