[发明专利]互连结构的制作方法无效

专利信息
申请号: 201110051918.5 申请日: 2011-03-04
公开(公告)号: CN102655113A 公开(公告)日: 2012-09-05
发明(设计)人: 鲍宇 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 20120*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种互连结构的制作方法,包括以下步骤:提供一衬底,在所述衬底上依次沉积形成阻挡层、低介电常数的介质层以及硬掩膜层,所述介质层中分布有致孔剂;刻蚀形成至少一通槽;对所述衬底进行第一次紫外线辐射;沉积扩散阻挡层并沉积导电材料;进行化学机械研磨,直至去除所述硬掩膜层;对所述衬底进行第二次紫外线辐射。本发明所述互连结构的制作方法,在形成通槽后对所述衬底进行第一次紫外线辐射,去除所述第二通槽下方介质层中的致孔剂,包括介质层中其余致孔剂,以在后续沉积导电材料及进行化学机械研磨过程中分担机械压力,从而提高所述介质层的机械强度,降低介质层的损坏率,提高性能。
搜索关键词: 互连 结构 制作方法
【主权项】:
一种互连结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一衬底,在所述衬底上依次沉积形成阻挡层、低介电常数的介质层以及硬掩膜层,所述介质层中分布有致孔剂;刻蚀形成至少一通槽,所述通槽包括第一通槽和第二通槽,所述第一通槽贯穿所述阻挡层和部分介质层,所述第二通槽贯穿部分介质层和硬掩膜层,所述第二通槽的截面宽度大于第一通槽的截面宽度;对所述衬底进行第一次紫外线辐射,以去除所述第二通槽下方的介质层中的致孔剂;沉积扩散阻挡层于所述通槽内表面及所述硬掩膜层表面,并沉积导电材料填充所述通槽中;进行化学机械研磨,直至去除所述硬掩膜层;对所述衬底进行第二次紫外线辐射,以去除所述介质层中剩余的致孔剂。
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