[发明专利]一种半导体纳米晶/量子点在晶硅材料上的沉积生长方法无效
| 申请号： | 201110047486.0 | 申请日： | 2011-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102184979A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 余锡宾;王飞久;杜梦娟;张坤;浦旭鑫 | 申请（专利权）人： | 上海师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/04;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人： | 张美娟 |
| 地址： | 200234 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体纳米晶/量子点在晶硅材料上的沉积生长方法，由下列重量比物质组成：硫、硒、硫化物或硒化物1-100份；金属盐1-100份；溶剂100-500份；偶联剂1-10份；晶硅材料：硅片。以晶硅材料为基质，预先合成胶体量子点，加入偶联分子，结合旋涂、滴涂法以及浸渍提拉技术将胶体量子点连接到晶硅材料上。本发明产品物理化学性质非常稳定，长期暴露在空气中不会影响其光电转换效率。制备工艺简单易操作，容易工业应用，原料来源丰富，且价廉易得。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 纳米 量子 材料 沉积 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种量子点的硅晶材料，其特征在于：由下列重量比物质组成：硫、硒、硫化物或硒化物 1‑100份；金属盐 1‑100份；溶剂 100‑500份；偶联剂 1‑10份；晶硅材料：硅片(硅电池片)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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