[发明专利]三维半导体器件有效
| 申请号： | 201110041963.2 | 申请日： | 2011-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN102194793A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 金杜坤;蔡东赫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种三维半导体器件，包括在基板上二维布置的堆叠结构、包括第一互连且设置在堆叠结构上的第一互连层以及包括第二互连且设置在第一互连层上的第二互连层。每个堆叠结构具有包括多个堆叠下部字线的下部区和包括设置在堆叠下部字线上的多个堆叠上部字线的上部区。每个第一互连连接到一条下部字线，每个第二互连连接到一条上部字线。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种三维半导体器件，包括：基板；堆叠结构，在水平方向彼此相邻地设置在所述基板上从而在所述基板上占据二维空间；第一互连层，包括第一互连并且设置在所述堆叠结构上；和第二互连层，包括第二互连并且设置在所述第一互连层上，其中，每个堆叠结构包括多条堆叠字线从而具有在所述堆叠结构的下部区中的至少一条下部字线和在所述堆叠结构的上部区中的至少一条上部字线，该上部区位于该下部区上，和每个第一互连电连接到所述下部字线中的一条，每个第二互连电连接到所述上部字线中的一条。
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