[发明专利]半导体衬底隔离的形成方法无效
| 申请号： | 201110041586.2 | 申请日： | 2011-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN102646622A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体衬底隔离的形成方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成第一氧化物层和氮化物层；在所述氮化物层和第一氧化物层中形成开口，以暴露部分区域的所述半导体衬底；从所述开口处向所述半导体衬底注入氧离子；执行退火操作，以使所述部分区域中至少表层所述半导体衬底形成第二氧化物层；去除所述氮化物层和所述第一氧化物层。相对于传统的STI工艺，本发明提供的方法工艺流程更为简易，并且适用于普通半导体衬底和绝缘体上半导体衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 隔离 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体衬底隔离的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成第一氧化物层和氮化物层；在所述氮化物层和第一氧化物层中形成开口，以暴露部分区域的所述半导体衬底；从所述开口处向所述半导体衬底注入氧离子；执行退火操作，以使所述部分区域中至少表层所述半导体衬底形成第二氧化物层；去除所述氮化物层和所述第一氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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