[发明专利]一种电荷检测芯片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201110029132.3 申请日: 2011-01-26
公开(公告)号: CN102163606A 公开(公告)日: 2011-08-24
发明(设计)人: 赵丹淇;张大成;罗葵;王玮;田大宇;杨芳;刘鹏;李婷 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L21/768;H01L21/66;B81B3/00;B81C1/00;H01J37/32;G01R29/24
代理公司: 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 代理人: 李稚婷
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种电荷检测芯片及其制备方法。该芯片包括双材料悬臂梁温度敏感结构和利用静电吸合原理获取等离子体密度的结构组成的测试单元,以应变电阻作为获取温度敏感结构和电荷收集结构形变的测试手段,采用多个测试单元以阵列的方式排列,可以实时监测等离子体环境中电荷在时间和空间上的积累量和分布,为实时在线测试等离子体对器件的影响提供了一种可能,且所述芯片可以多次重复使用。
搜索关键词: 一种 电荷 检测 芯片 及其 制备 方法
【主权项】:
一种电荷检测芯片,包括基片和集成于基片之上的由若干个测试单元组成的阵列,每个测试单元又包括下极板、双材料梁、压阻和MOS开关,其中:下极板位于基片之上;双材料梁悬于下极板上方,由形状相同但膨胀系数不同的两层材料构成,下层为结构层,上层为金属层;双材料梁的形状呈中心对称,中部为一个大面积靶平板,该大面积靶平板平行于下极板,通过支撑梁与基片上的锚点连接;压阻嵌在一支撑梁与锚点相连一端的结构层中;MOS开关的漏端通过引线连接双材料梁的金属层。
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