[发明专利]半导体器件的柱型电容器及其制造方法

摘要

本发明公开一种半导体器件的柱型电容器及其制造方法。在该柱型电容器中，在存储节点触点的上部上形成柱体。在柱体的侧壁上形成底部电极，并且在柱体和底部电极上形成介电膜。然后，在介电膜的上部上形成顶部电极。

主权项

一种半导体器件的柱型电容器，所述电容器包括：柱体结构，其包括：柱体，其与存储节点触点的上部电连接，以及氧化物柱体，其布置在所述柱体上方并且由介电材料形成；底部电极，其布置在所述柱体结构的侧壁上，所述底部电极不形成在所述柱体结构的上部上，所述底部电极与所述柱体电连接；介电膜，其布置在所述柱体结构和所述底部电极上；以及顶部电极，其布置在所述介电膜上，其中，所述柱体结构的下部的横截面面积大于所述柱体结构的上部的横截面面积。