[发明专利]发光二极管及发光二极管的制造方法有效
| 申请号： | 201110022196.0 | 申请日： | 2011-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102376840A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 黄泓文;夏兴国;邱清华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;刘文意 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光二极管及发光二极管的制造方法，该发光二极管包含一发光结构，此发光结构含有一置于横跨一第一掺杂层的垂直侧壁上的钝化层、一发光层，及至少完全覆盖上述发光层侧壁的一第二掺杂层。通过等离子体轰击(plasma bombardment)或发光结构的离子注入来形成钝化层。如此可在后续工艺步骤中保护侧壁且防止发光层周围的电流泄漏。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包含：一发光结构，包含：一第一掺杂层，掺杂有一第一导电型的一第一杂质；一发光层，位于该第一掺杂层上；一第二掺杂层，位于该发光层上，且该第二掺杂层掺杂有与该第一导电型相反的第二导电型的一第二杂质；以及一钝化层，包含该发光层的一钝化部分，其中该发光层的钝化部分为该发光层的整个边缘部分；一接触金属层，邻近该第二掺杂层且与其电性接触；以及一封装基板。
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