[发明专利]一种自对准薄膜晶体管的制作方法

摘要

本发明公开了一种自对准金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，通过先生成具有高载流子浓度的有源层，然后将与栅电极形成自对准的沟道区通过具有氧化功能的等离子体进行氧化处理，使源漏区具有高的载流子浓度，沟道区具有低的载流子浓度的同时，也使制造出的晶体管具有自对准结构；另外，晶体管的阈值电压由后续低温下具有氧化功能的等离子体处理条件所控制，因此晶体管特性的可控性大为提高，制作的工艺流程也有所简化。

主权项

一种自对准薄膜晶体管的制作方法，其特征在于包括：栅电极生成步骤：在衬底正面上生成金属栅电极；栅介质层生成步骤：在衬底正面上生成覆盖在所述栅电极之上的栅介质层；有源区生成及处理步骤：在栅介质层上生成一层具有高载流子浓度的金属氧化物半导体层，对其进行处理形成包括源区、漏区以及沟道区的有源区，然后在所述金属氧化物半导体层上涂光刻胶层，从所述衬底的背面以所述栅电极为掩膜进行曝光并显影形成光刻胶图形，对所述光刻胶图形做相应的处理，使所述金属氧化物半导体层上的沟道区露出，将所述沟道区在低于所述衬底所能承受的最高温度的温度范围内通过具有氧化功能的等离子体进行氧化处理；电极引出步骤：生成源区、漏区和栅电极的电极引线。