[发明专利]一种自对准薄膜晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种自对准薄膜晶体管的制作方法，其特征在于包括：

栅电极生成步骤：在衬底正面上生成金属栅电极；

栅介质层生成步骤：在衬底正面上生成覆盖在所述栅电极之上的栅介质层；

有源区生成及处理步骤：在栅介质层上生成一层具有高载流子浓度的金属氧化物半导体层，对其进行处理形成包括源区、漏区以及沟道区的有源区，然后在所述金属氧化物半导体层上涂光刻胶层，从所述衬底的背面以所述栅电极为掩膜进行曝光并显影形成光刻胶图形，对所述光刻胶图形做相应的处理，使所述金属氧化物半导体层上的沟道区露出，将所述沟道区在低于所述衬底所能承受的最高温度的温度范围内通过具有氧化功能的等离子体进行氧化处理；

电极引出步骤：生成源区、漏区和栅电极的电极引线。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述具有氧化功能的等离子体为氧等离子体。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有源区生成及处理步骤中对所述金属氧化物半导体层进行处理形成有源区之前，还包括对所述金属氧化物半导体层在无氧环境中进行热处理。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述沟道区在25-180度的温度下通过具有氧化功能的等离子体对其进行氧化处理。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成有源区的金属氧化物半导体层上涂光刻胶层之前还包括：在所述金属氧化物半导体层上生成一层介质保护层，然后在该介质保护层上涂所述光刻胶，并对其进行处理使所述金属氧化物半导体层上的沟道区露出。

6.如权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述光刻胶层为负性光刻胶层，生成所述光刻胶层之后对其处理的过程如下：从衬底的背面以所述栅电极为掩膜进行曝光并显影形成光刻胶图形，使所述金属氧化物半导体层上的沟道区露出。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述光刻胶层为负性光刻胶层，生成所述光刻胶层之后对其处理的过程如下：从衬底的背面以所述栅电极为掩膜进行曝光并显影形成光刻胶图形，然后以该光刻胶图形为掩膜去除沟道区的介质保护层，使所述金属氧化物半导体层上的沟道区露出。

8.如权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述光刻胶层为正性光刻胶层，生成所述光刻胶层之后对其处理的过程如下：从衬底的背面以所述栅电极为掩膜进行曝光并显影形成光刻胶图形，然后在其上表面生成一层介质保护层，并对其进行处理使所述金属氧化物半导体层上的沟道区露出。

9.如权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述光刻胶层为正性光刻胶层，生成所述光刻胶层之后对其处理的过程如下：从衬底的背面以所述栅电极为掩膜进行曝光并显影形成光刻胶图形，然后在其上表面生成一层金属薄膜层，并对其进行处理使所述金属氧化物半导体层上的沟道区露出。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅介质层的材料为透明材料。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为耐高温透明衬底或者低温透明衬底。