[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法，该薄膜晶体管包括一基板、一栅极电极、一源极电极与一漏极电极、一栅极介电层、一图案化氧化物半导体层、以及一图案化含氢材料层。图案化氧化物半导体层至少部分覆盖源极电极的上表面与侧表面以及至少部分覆盖漏极电极的上表面与侧表面。图案化含氢材料层设置于图案化氧化物半导体层上，且被图案化含氢材料层所覆盖的图案化氧化物半导体层的电阻率小于未被图案化含氢材料层所覆盖的图案化氧化物半导体层的电阻率。本发明可达到降低氧化物半导体层与源极电极/漏极电极之间的接触阻抗以提升其电子迁移率的目的。

主权项

一种氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，包括：一基板；一栅极电极，设置于该基板上；一源极电极与一漏极电极，设置于该基板上，其中该源极电极与该漏极电极分别具有一上表面与一侧表面；一栅极介电层，设置于该栅极电极与该源极电极/漏极电极之间；一图案化氧化物半导体层，设置于该基板上，其中该图案化氧化物半导体层具有一通道区以及一非通道区，该非通道区至少部分覆盖该源极电极的该上表面与该侧表面以及至少部分覆盖该漏极电极的该上表面与该侧表面，该通道区位于该源极电极与该漏极电极之间的该基板之上；以及一图案化含氢材料层，设置于该图案化氧化物半导体层上，其中该图案化含氢材料层至少覆盖部分的该图案化氧化物半导体层的该非通道区，且被该图案化含氢材料层所覆盖的该图案化氧化物半导体层的电阻率小于未被该图案化含氢材料层所覆盖的该图案化氧化物半导体层的电阻率。