[发明专利]自动化气体脉冲刻蚀方法、装置及系统有效
申请号: | 201110009273.9 | 申请日: | 2011-01-17 |
公开(公告)号: | CN102592963A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 崔金明;吴晓伟;尉伟;孙方稳;付绍军;韩正甫;郭光灿 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 230026*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种自动化气体脉冲刻蚀方法、装置及系统,其装置的连接为:装有反应气体和氮气的第一钢瓶和第二钢瓶分别经过电磁阀,连接到膨胀室,膨胀室的另一端与刻蚀室连接,刻蚀室连接挡油阱,挡油阱的另一端连接真空泵,第二钢瓶的另一路直接连接到刻蚀室。在膨胀室和刻蚀室、刻蚀室与挡油阱之间都放置电磁阀和针阀,通过控制上述电磁阀和针阀控制通放气和气流的大小。并在膨胀室和刻蚀室上各连接气压计,通过检测气压和控制各处电磁阀的开关实现脉冲刻蚀。最终实现低成本、高效率和高质量的自动化气体脉冲刻蚀。 | ||
搜索关键词: | 自动化 气体 脉冲 刻蚀 方法 装置 系统 | ||
【主权项】:
一种自动化气体脉冲刻蚀装置,其特征在于,包括:装有反应气体的第一钢瓶,经第一针阀和第一电磁阀与所述第一钢瓶通路连接的膨胀室;分两通路设置的装有氮气的第二钢瓶,其一通路经第二针阀和第二电磁阀连接于所述膨胀室,另一通路经第三针阀和第四电磁阀连接于刻蚀室;所述膨胀室和所述刻蚀室之间经第五针阀和第五电磁阀通路相连;分别设置于所述膨胀室和所述刻蚀室相连的通路端口的第二气压计和第一气压计;一端通过通路经第四针阀和第四电磁阀与所述刻蚀室相连的挡油阱,另一端与真空泵相连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学技术大学,未经中国科学技术大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110009273.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种石榴剥粒机的籽粒分离装置
- 下一篇:标识码录入系统及录入方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造