[发明专利]多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件无效
| 申请号： | 201110008806.1 | 申请日： | 2011-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN102130246A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;张汝京 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市临港*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多量子阱结构、包含所述多量子阱结构的发光二极管、以及包含所述发光二极管的发光二极管封装件，所述多量子阱结构设置于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间，所述多量子阱结构包括多个势垒层以及被势垒层隔开的多个有源层，有源层的能量带隙小于势垒层的能量带隙，所述多个有源层之间的能量带隙各不相同，并且，多个有源层的能量带隙逐渐减小或增加，多个势垒层的能量带隙小于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层的能量带隙，可更加有效地防止载流子逃逸，提高电子和空穴的复合机率，进而提高发光二极管的内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 多量 结构 发光二极管 封装 | ||
【主权项】：
一种多量子阱结构，所述多量子阱结构设置于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间，所述多量子阱结构包括多个势垒层以及被势垒层隔开的多个有源层，所述有源层的能量带隙小于势垒层的能量带隙，并且，所述多个势垒层的能量带隙小于所述第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层的能量带隙，所述多个有源层的能量带隙逐渐减小或增加。
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