[发明专利]形成电磁保护半导体管芯的方法及半导体管芯有效
| 申请号： | 201110008696.9 | 申请日： | 2011-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN102157397A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | M·J·塞登;F·J·卡尔尼;G·M·格里瓦纳 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/78;H01L23/552 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及形成电磁保护半导体管芯的方法及半导体管芯。在一个实施例中，将半导体管芯形成为具有斜坡侧壁。在该斜坡侧壁上形成导体。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 电磁 保护 半导体 管芯 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体管芯的方法，包括：提供半导体晶片，该半导体晶片具有半导体衬底并具有多个半导体管芯，所述多个半导体管芯在所述半导体衬底上形成且被所述半导体衬底的要形成切单线的位置处的那部分相互分离，所述半导体衬底具有第一表面和第二表面；形成通过所述多个半导体管芯中的第一半导体管芯的开口，其中，所述开口具有斜坡侧壁，使得所述开口的宽度在开口的一个末端处比在所述开口的相反末端处大；以及在所述开口的所述斜坡侧壁上形成第一导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
