[发明专利]磊晶基板、使用该磊晶基板之半导体发光元件及其制程有效
| 申请号： | 201110007782.8 | 申请日： | 2011-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN102569025A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 钱俊逸;简宏吉;杨昆霖;徐文庆 | 申请（专利权）人： | 昆山中辰矽晶有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L29/06;H01L33/02;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215316 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磊晶基板、使用该磊晶基板之半导体发光元件及其制造方法。根据本发明之磊基板包含一晶体基板。特别地，该晶体基板的晶体表面其上具有多个散乱排列的纳米级柱体。该多个纳米级柱体系由不同于形成该基板之材料的氧化物所形成。 | ||
| 搜索关键词： | 磊晶基板 使用 半导体 发光 元件 及其 | ||
【主权项】：
一种制造一磊晶基板之方法，包含下列步骤：制备一晶体基板，该晶体基板系由一第一材料所形成并且具有一晶体表面；于该晶体基板之该晶体表面上，沉积由一第二材料所形成之一多晶材料层，该第二材料不同于该第一材料；籍由一湿式蚀刻制程，蚀刻该多晶材料层之晶界进而获得该第二材料之多个纳米级柱体；进行一氧化程序，致使由该第二材料形成的多个纳米级柱体转变为由第二材料的氧化物形成的多个纳米级柱体，以获得该磊晶基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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