[发明专利]一种基于多能级杂质改变半导体掺杂特性的半导体存储器无效
| 申请号： | 201110005329.3 | 申请日： | 2011-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102169891A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 杨庚雨;黄如;唐昱;邹积彬 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;G11C11/34 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体存储器，属于半导体器件技术领域。该半导体存储器包括一个N-P-N型或P-N-P-型半导体，其中，在N-P-N型半导体中的一个N型掺杂区或者P型掺杂区中掺入多能级杂质，或在P-N-P-型半导体中的一个P型掺杂区或者N型掺杂区中掺入多能级杂质。本发明通过控制多能级杂质，使其在施主能级和受主能级间进行转变，通过邻近区域间势垒的改变实现存储器关态或开态。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 多能 杂质 改变 半导体 掺杂 特性 存储器 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器，包括一个N‑P‑N型或P‑N‑P‑型半导体，其特征在于，在N‑P‑N型半导体中的一个N型掺杂区或者P型掺杂区中掺入多能级杂质，或在P‑N‑P‑型半导体中的一个P型掺杂区或者N型掺杂区中掺入多能级杂质。
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