[发明专利]发光二极管晶粒及其制造方法、发光二极管封装结构有效
| 申请号： | 201110003533.1 | 申请日： | 2011-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN102593287A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 黄世晟;凃博闵;林雅雯 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/42;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管晶粒，包括基板、半导体发光结构、绝缘层及透明导电层，基板包括相互绝缘的第一导电区与第二导电区，半导体发光结构为垂直电导通结构，半导体发光结构包括金属层及N型三族氮化物半导体层，金属层及N型三族氮化物半导体层分别位于半导体发光结构的两端，半导体发光结构的金属层固定于基板的第二导电区上，透明导电层连接基板的第一导电区与N型三族氮化物半导体层，绝缘层使得透明导电层与基板的第二导电区及半导体发光结构的除N型三族氮化物半导体层以外的其他部分绝缘。上述发光二极管晶粒的出光一侧不必设置遮光的厚金属电极及焊球，从而提高发光二极管晶粒的出光效率。本发明还公开一种发光二极管晶粒制造方法及发光二极管封装结构。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶粒 及其 制造 方法 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管晶粒，包括基板、半导体发光结构、绝缘层及透明导电层，基板包括相互绝缘的第一导电区与第二导电区，半导体发光结构为垂直电导通结构，半导体发光结构包括金属层及N型三族氮化物半导体层，金属层及N型三族氮化物半导体层分别位于半导体发光结构的两端，半导体发光结构的金属层固定于基板的第二导电区上，其特征在于：透明导电层连接基板的第一导电区与N型三族氮化物半导体层，该绝缘层使得透明导电层与基板的第二导电区绝缘，并且该绝缘层使得透明导电层与半导体发光结构的除N型三族氮化物半导体层以外的其他部分绝缘。
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