[发明专利]半导体装置的制造方法及石墨烯的生长方法有效
| 申请号： | 201080068488.1 | 申请日： | 2010-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN103109372A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 林贤二郎;佐藤信太郎 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;赵曦 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在基板（1）上方形成催化剂膜（2）。在催化剂膜（2）上生长石墨烯（3）。形成露出催化剂膜（2）的下表面的间隙。介由间隙，除去催化剂膜（2）。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 石墨 生长 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：在基板上方形成催化剂膜的工序，在所述催化剂膜上生长石墨烯的工序，形成露出所述催化剂膜的下表面的间隙的工序，以及介由所述间隙，除去所述催化剂膜的工序。
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