[发明专利]多结化合物半导体太阳能电池

摘要

涉及一种多结化合物半导体太阳能电池，在所述第1单元(40A，40B)和所述第2单元(40C)之间的缓冲层(41)中，设置多个半导体层使得晶格常数按照从第1单元(40A，40B)侧至第2单元(40C)侧的顺序增大，在多个半导体层中，邻接的两层中晶格常数差最大的两层(21a，22a)位于比缓冲层(41)在厚度方向上的中央更接近第1单元(40A，40B)侧的位置。

主权项

一种多结化合物半导体太阳能电池，其包括：第1电极(128)、第1单元(40A、40B)、缓冲层(41)、第2单元(40C)和第2电极(102)，所述第1电极(128)设置在太阳光入射侧，所述第1单元(40A、40B)包括第1光电转换层(60A、60B)，所述第2单元(40C)包括第2光电转换层(60C)，所述第1光电转换层(60A、60B)的禁带宽度和所述第2光电转换层(60C)的禁带宽度彼此不同，所述第2单元(40C)的晶格常数大于所述第1单元(40A、40B)的晶格常数，所述缓冲层(41)包括多个半导体层，从所述第1单元(40A、40B)侧至所述第2单元(40C)侧，按照晶格常数逐渐增大的顺序分别设置所述多个半导体层，在所述多个半导体层中，最接近所述第2单元(40C)的半导体层(30a)的晶格常数大于所述第2单元(40C)的晶格常数，在所述多个半导体层中，邻接的两层中晶格常数差最大的两层(21a、22a)位于比所述缓冲层(41)在厚度方向上的中央更接近所述第1单元(40A、40B)的位置上。