[发明专利]多结化合物半导体太阳能电池

权利要求书

1.一种多结化合物半导体太阳能电池，其包括：

第1电极(128)、第1单元(40A、40B)、缓冲层(41)、第2单元(40C)和第2电极(102)，

所述第1电极(128)设置在太阳光入射侧，

所述第1单元(40A、40B)包括第1光电转换层(60A、60B)，所述第2单元(40C)包括第2光电转换层(60C)，所述第1光电转换层(60A、60B)的禁带宽度和所述第2光电转换层(60C)的禁带宽度彼此不同，

所述第2单元(40C)的晶格常数大于所述第1单元(40A、40B)的晶格常数，

所述缓冲层(41)包括多个半导体层，

从所述第1单元(40A、40B)侧至所述第2单元(40C)侧，按照晶格常数逐渐增大的顺序分别设置所述多个半导体层，

在所述多个半导体层中，最接近所述第2单元(40C)的半导体层(30a)的晶格常数大于所述第2单元(40C)的晶格常数，

在所述多个半导体层中，邻接的两层中晶格常数差最大的两层(21a、22a)位于比所述缓冲层(41)在厚度方向上的中央更接近所述第1单元(40A、40B)的位置上。

2.根据权利要求1所述的多结化合物半导体太阳能电池，其中，所述邻接的两层半导体层中的晶格常数差最大的两层(21a，22a)是最接近所述第1单元(40A、40B)的两层。

3.根据权利要求1或2所述的多结化合物半导体太阳能电池，其中，将所述邻接的两层半导体层中的晶格常数差最大的两层(21a，22a)在所述第2单元(40C)侧的半导体层(22a)的晶格常数视为a1、在所述第1单元(40A，40B)侧的半导体层(21a)的晶格常数视为a2时，

所述晶格常数a1和所述晶格常数a2之间的晶格常数差为0.0015nm以上且0.0026nm以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的多结化合物半导体太阳能电池，其中，将所述第2单元(40C)的第2光电转换层(60C)的晶格常数视为a4、最接近所述第2单元(40C)的半导体层(30a)的晶格常数视为a3，

定义第2晶格常数差比(％)=(100×(a3-a4))/(a3)时，

第2晶格常数差比在0.12％以上且0.8％以下。

5.一种多结化合物半导体太阳能电池，其包括：

具有第1光电转换层(60A、60B)的第1单元(40A、40B)，所述第1光电转换层(60A、60B)具有第1禁带宽度，

具有第2光电转换层(60C)的第2单元(40C)，所述第2光电转换层(60C)具有禁带宽度小于所述第1禁带宽度的第2禁带宽度，

在所述第1单元(40A、40B)和所述第2单元(40C)之间的缓冲层(41)，

设置在所述第1单元(40A、40B)侧的第1电极(128)，以及

设置在所述第2单元(40C)侧的第2电极(102)，

所述第2单元(40C)的晶格常数大于所述第1单元(40A、40B)的晶格常数，

所述缓冲层(41)包括多个半导体层，

从所述第1单元(40A、40B)侧至所述第2单元(40C)侧，按照晶格常数逐渐增大的顺序分别设置所述多个半导体层，

在所述多个半导体层中，最接近所述第2单元(40C)的半导体层(30a)的晶格常数大于所述第2单元(40C)的晶格常数，

在所述多个半导体层中，邻接的两层中晶格常数差最大的两层(21a、22a)位于比所述缓冲层(41)在厚度方向上的中央更接近所述第1单元(40A、40B)的位置上。

6.根据权利要求5所述的多结化合物半导体太阳能电池，其中，所述邻接的两层半导体层中晶格常数差最大的两层(21a，22a)是最接近所述第1单元(40A，40B)的两层。

7.根据权利要求5或6所述的多结化合物半导体太阳能电池，其中，将所述邻接的两层半导体层中晶格常数差最大的两层(21a，22a)在所述第2单元(40C)侧的半导体层(22a)的晶格常数视为a1、将在所述第1单元(40A，40B)侧的半导体层(21a)的晶格常数视为a2时，

所述晶格常数a1和所述晶格常数a2之间的晶格常数差为0.0015nm以上且0.0026nm以下。

8.根据权利要求5～7中任一项所述的多结化合物半导体太阳能电池，其中，将所述第2单元(40C)的第2光电转换层(60C)的晶格常数视为a4、将最接近所述第2单元(40C)的半导体层(30a)的晶格常数视为a3，

定义第2晶格常数差比(％)=(100×(a3-a4))/(a3)时，

第2晶格常数差比在0.12％以上且0.8％以下。