[发明专利]在具有多层焊盘上金属化的接合焊盘及形成方法有效
| 申请号： | 201080063511.8 | 申请日： | 2010-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102754203A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | M·瓦鲁格斯 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体装置结构（10）具有半导体管芯（11），所述半导体管芯具有接合焊盘（14）以及围绕所述接合焊盘的一部分的钝化层（18）。在所述内侧部分上沉积镍层（16）。在所述钝化层和所述镍层的侧壁之间存在空间，并且该空间延伸到所述接合焊盘。钯层（24'）在所述镍层上方并且填充所述空间。所述空间最初非常小（20）但是被通过各向同性蚀刻而加宽（20'）使得在沉积所述钯层时，空间（20）足够大使得钯的沉积能够填充所述空间（20'）。填充所述空间导致这样的结构，其中钯接触所述镍层、所述钝化层和所述接合焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多层 焊盘上 金属化 接合 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置结构，包括：半导体管芯，其具有第一接合焊盘和围绕所述第一接合焊盘的内侧部分的钝化层；第一镍层，其在所述第一接合焊盘的内侧部分上，其中所述第一镍层具有侧壁，其中所述钝化层和所述侧壁之间的第一空间延伸到所述第一接合焊盘；以及第一钯层，其在所述第一镍层上方并且填充所述第一空间，从而所述第一钯层在所述第一空间中与所述第一镍层、在所述第一空间中与所述第一接合焊盘、以及在所述第一空间中与所述钝化层接触。
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