[发明专利]光电子半导体芯片无效
| 申请号： | 201080058884.6 | 申请日： | 2010-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102668139A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 尼古劳斯·格迈因维泽;马蒂亚斯·扎巴蒂尔;安德烈亚斯·莱贝尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/38;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;田军锋 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在光电子半导体芯片（1）的至少一个实施形式中，所述光电子半导体芯片包括具有有源层（3）的层序列（2）。此外，半导体芯片（1）包括光耦合输出层（4），所述光耦合输出层至少间接地施加在半导体层序列（2）的辐射穿透面（20）上。光耦合输出层（4）的材料与半导体层序列（2）的材料不同，并且光耦合输出层（4）和半导体层序列（2）的材料的折射率彼此相差最高20%。通过在光耦合输出层（4）中的凹部（44）形成小平面（40），其中凹部（44）不完全穿透光耦合输出层（4）。此外，小平面（40）具有相当于辐射穿透面（20）的面积的至少25%的总面积。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
光电子半导体芯片（1），具有‑半导体层序列（2），所述半导体层序列具有用于产生电磁辐射的至少一个有源层（3），和‑光耦合输出层（4），所述光耦合输出层至少间接地施加在所述半导体层序列（2）的辐射穿透面（20）上，其中‑所述光耦合输出层（4）的材料与所述半导体层序列（2）的材料不同，‑所述光耦合输出层（4）的材料和所述半导体层序列（2）的材料的折射率彼此相差最高20%，‑通过在所述光耦合输出层（4）中的凹部（44）形成具有小平面（40）的耦合输出结构，‑所述光耦合输出层（4）在所述辐射穿透面（20）上的区域中并未被所述凹部（44）完全穿透，和‑所述凹部（44）的所述小平面（40）具有的总面积为所述辐射穿透面（20）的面积的至少25%。
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