[发明专利]光电子半导体构件

摘要

提出一种光电子半导体构件（100），其具有：具有辐射退耦面（6）的至少一个发射辐射的半导体芯片（3），在半导体芯片（3）中产生的电磁辐射的至少一部分穿过所述辐射退耦面离开半导体芯片（3）；至少一个转换元件（4），所述转换元件设置在半导体芯片（3）的下游，在所述半导体芯片的辐射退耦面（6）上，用于转换由半导体芯片（3）发射的电磁辐射，并且具有背离辐射退耦面（6）的第一表面（7）；反射的包封物（5），其中反射的包封物（5）包围半导体芯片（3），并且至少局部地在侧面（33、44）上形状接合地包围转换元件，并且转换元件（4）的第一表面（7）没有反射的包封物（5）。

主权项

光电子半导体构件（100），所述光电子半导体构件具有‑具有辐射退耦面（6）的至少一个发射辐射的半导体芯片（3），在所述半导体芯片（3）中产生的电磁辐射的至少一部分通过所述辐射退耦面离开所述半导体芯片（3）；‑至少一个转换元件（4），所述转换元件设置在所述半导体芯片（3）的下游，在所述半导体芯片的所述辐射退耦面（6）上，用于转换由所述半导体芯片（3）发射的电磁辐射，并且所述转换元件具有背离所述辐射退耦面（6）的第一表面（7）；‑反射的包封物（5），其中‑所述反射的包封物（5）包围所述半导体芯片（3），并且至少局部地在侧面（33、44）上形状接合地包围所述转换元件，并且‑所述转换元件（4）的所述第一表面（7）没有所述反射的包封物（5）。