[发明专利]用于非周期性脉冲部分熔融膜处理的系统和方法有效
| 申请号： | 201080055984.3 | 申请日： | 2010-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102770939A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | J·S·艾姆;Y·邓;Q·胡;U-J·常;A·B·利马诺弗 | 申请（专利权）人： | 纽约市哥伦比亚大学理事会 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一方面，本公开涉及一种处理薄膜的方法，所述方法包括：在使薄膜在第一选择方向上前进的同时，用第一激光脉冲和第二激光脉冲照射所述薄膜的第一区，每个激光脉冲提供成形光束并且具有足以使所述薄膜部分熔融的通量并且所述第一区再固化和结晶以形成第一结晶区；和用第三激光脉冲和第四激光脉冲照射所述薄膜的第二区，每个脉冲提供成形光束并且具有足以使所述薄膜部分熔融的通量并且所述第二区再固化和结晶以形成第二结晶区，其中所述第一激光脉冲与所述第二激光脉冲之间的时间间隔小于所述第一激光脉冲与所述第三激光脉冲之间的时间间隔的一半。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 周期性 脉冲 部分 熔融 处理 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种处理薄膜的方法，其包括：在使薄膜在第一选择方向上前进的同时，用第一激光脉冲和第二激光脉冲照射所述薄膜的第一区，每个激光脉冲提供成形光束并且具有足以使所述薄膜部分熔融的通量并且所述第一区再固化和结晶以形成第一结晶区；和用第三激光脉冲和第四激光脉冲照射所述薄膜的第二区，每个脉冲提供成形光束并且具有足以使所述薄膜部分熔融的通量并且所述第二区再固化和结晶以形成第二结晶区，其中所述第一激光脉冲与所述第二激光脉冲之间的时间间隔小于所述第一激光脉冲与所述第三激光脉冲之间的时间间隔的一半。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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