[发明专利]用于非周期性脉冲部分熔融膜处理的系统和方法

权利要求书

1.一种处理薄膜的方法，其包括：

在使薄膜在第一选择方向上前进的同时，

用第一激光脉冲和第二激光脉冲照射所述薄膜的第一区，每个激光脉冲提供成形光束并且具有足以使所述薄膜部分熔融的通量并且所述第一区再固化和结晶以形成第一结晶区；和

用第三激光脉冲和第四激光脉冲照射所述薄膜的第二区，每个脉冲提供成形光束并且具有足以使所述薄膜部分熔融的通量并且所述第二区再固化和结晶以形成第二结晶区，

其中所述第一激光脉冲与所述第二激光脉冲之间的时间间隔小于所述第一激光脉冲与所述第三激光脉冲之间的时间间隔的一半。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一激光脉冲与所述第二激光脉冲之间的所述时间间隔长于用于所述薄膜的单个熔融和固化循环的时间间隔。

3.根据权利要求1所述的方法，其中每个所述第一激光脉冲和所述第二激光脉冲具有相同的能量密度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中每个所述第一激光脉冲和所述第二激光脉冲具有不同的能量密度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中每个所述第一激光脉冲和所述第二激光脉冲实现所述薄膜的相同程度的熔融。

6.根据权利要求1所述的方法，其中每个所述第一激光脉冲和所述第二激光脉冲实现所述薄膜的不同程度的熔融。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述薄膜包括缺乏现成微晶的非晶硅膜。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一激光脉冲具有足以使所述非晶硅膜熔融并且产生具有有缺陷的核心区的晶体结构的能量密度。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第二激光脉冲具有足以使所述有缺陷的核心区再熔融以产生均匀细粒状结晶膜的能量密度。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述薄膜包括非晶硅膜。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述薄膜使用低压力化学气相沉积、等离子增强型化学气相沉积、溅射和电子光束蒸发之一而沉积。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述薄膜包括经过处理的硅膜。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述经过处理的硅膜是随后已经根据以下方法处理且缺乏现成微晶的非晶硅膜，所述方法包括：

在使所述非晶硅膜在第二选择方向上前进的同时，用具有足以使所述非晶硅膜部分熔融的通量的延长型激光脉冲照射所述非晶硅膜。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述延长型激光脉冲是通过依序重叠来自众多激光源的激光脉冲而生成，其中脉冲之间的延迟足够短以引发单个熔融和固化循环。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述非晶硅膜是经由等离子增强型化学气相沉积而获得。

16.根据权利要求13所述的方法，其中所述延长型激光脉冲的脉冲长度大于300ns的全宽半最大值。

17.根据权利要求12所述的方法，其中所述经过处理的硅膜是根据以下方法处理的硅膜：

在使所述硅膜在第二选择方向上前进的同时，用具有足以使所述硅膜完全熔融的通量的激光脉冲照射所述硅膜。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述激光脉冲是通过重叠来自多个激光源的激光脉冲而生成。

19.根据权利要求1所述的方法，其包括：

在使所述薄膜在第二选择方向上前进的同时，

用第五激光脉冲和第六激光脉冲照射所述薄膜的第三区，每个激光脉冲提供成形光束并且具有足以使所述薄膜部分熔融的通量并且所述第三区再固化和结晶以形成第三结晶区；和

用第七激光脉冲和第八激光脉冲照射所述薄膜的第四区，每个脉冲提供成形光束并且具有足以使所述薄膜部分熔融的通量并且所述第四区再固化和结晶以形成第四结晶区，

其中所述第五激光脉冲与所述第六激光脉冲之间的时间间隔小于所述第五激光脉冲与所述第七激光脉冲之间的时间间隔的一半。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述第二选择方向与所述第一选择方向相反，且所述第三区与所述第二区重叠并且所述第四区与所述第一区重叠。