[发明专利]用于非周期性脉冲部分熔融膜处理的系统和方法

说明书

相关申请的交叉参考

本申请主张以下美国申请的优先权：2009年11月24日申请，标题为“Systems and Methods for Advanced Excimer Laser Annealing”的美国申请61/264082；2009年12月15日申请，标题为“Systems and Methods for AdvancedExcimer Laser Annealing”的美国申请61/286643；2009年12月31日申请，标题为“Systems and Methods for Advanced Excimer Laser Annealing”的美国申请61/291488；2009年11月3日申请，标题为“Method For Obtaining Uniformly SizedSmall Grain Polycrystalline Silicon With Low Intragrain Defect-Density FilmsThrough Partial Melt Crystallization”的美国申请61/257657；2009年11月3日申请，标题为“Method For Obtaining Uniformly Sized Small Grain PolycrystallineSilicon With Low Intragrain Defect-Density Films Through Complete MeltCrystallization”的美国申请61/257650；2009年12月31日申请，标题为“Advanced Single-Scan SLS”的美国申请61/291,663；2010年1月12日申请，标题为“Sequential Firing SLS”的美国申请61/294,288；2010年5月10日申请，标题为“Systems and Methods for Non-Periodic Pulse Sequential LateralSolidification”的美国申请12/776756，和2010年5月4日申请，标题为“Systemsand Methods for Non-Periodic Pulse Sequential Lateral Solidification”的PCT国际专利申请PCT/US2010/033565，所述申请的每个公开的全部内容以引用的方式明确并入本文。

本文所引用的所有专利、专利申请、专利公布和多个公布的全部内容以引用的方式明确并入本文。如果申请的教示与所并入文件的教示之间有冲突，那么应当由所述申请的教示控制。

发明背景

在半导体处理领域中，已经描述多种将薄的非晶硅膜转换成多晶膜的技术。一项这种技术是准分子激光退火（“ELA”）。ELA是一种脉冲激光结晶过程，其可在基板，例如但不限于不耐热的基板（例如，玻璃和塑料）上产生具有均匀晶粒的多晶膜。ELA系统和过程的实例见述于2009年8月20日申请，标题为“Systems and Methods for Creating Crystallographic-Orientation ControlledPoly-Silicon Films”的共同拥有的美国专利公布20090309104；2009年9月9日申请，标题为“Process and System for Laser Crystallization Processing of FilmRegions on a Substrate to MinimizeEdge Areas,and Structure of Such FilmRegions”的共同拥有的美国专利公布20100065853，和2006年3月9日申请，标题为“Processes and Systems for Laser Crystallization Processing of Film Regionson a Substrate Utilizing a Line-Type Beam,and Structures of Such Film Regions”的共同拥有的美国专利公布20070010104。