[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置有效
| 申请号： | 201080055250.5 | 申请日： | 2010-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102754185A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 三谷昌弘 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供不利用中间基板而从底基板(100)将单晶Si薄膜或者包含单晶Si的器件等元件选择性地转印到绝缘性基板的方法。对形成有元件的底基板(第1基板)(100)选择性地照射具有多光子吸收波长的激光，与要转印的一部分元件一起将与其对应的底基板(100)上的薄膜转印到转印目标基板(第2基板)(100)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：在底基板上形成多个元件排列成的岛图案而形成第1基板的工序；将上述第1基板和与上述第1基板不同的第2基板隔着上述多个元件的一部分贴合的工序；以及针对在上述第1基板上所形成的多个元件中的上述一部分元件被形成的位置，照射具有引起多光子吸收的波长的激光，由此将上述一部分元件从上述第1基板分离而选择性地转印到上述第2基板上的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
