[发明专利]使用F2及COF2进行等离子体蚀刻和等离子体腔室清洁的方法无效
| 申请号： | 201080053965.7 | 申请日： | 2010-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102713000A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 马尔塞洛·里瓦 | 申请（专利权）人： | 索尔维公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23G5/00;B08B7/00;H01J37/32;C23F4/00;H01L21/3213;H01L21/3065;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 比利时*** | 国省代码： | 比利时;BE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在此披露了将F2或COF2作为蚀刻剂应用于等离子体辅助的半导体、光电池、薄膜晶体管液晶显示器、以及微机电系统的制造并且用于腔室清洁。已发现提供具有等于或大于15MHz频率的微波的一种等离子体发射体非常有效地提供等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 sub cof 进行 等离子体 蚀刻 等离子 体腔 清洁 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在等离子体腔室中蚀刻基底的方法，或者用于从固态本体去除沉积物的方法，该方法包括提供蚀刻气体作为蚀刻剂的步骤，该蚀刻气体包括F2或COF2或由其组成，其中该蚀刻或腔室清洁是通过提供产生等离子体的射频来辅助的，其中该射频等于或大于15MHz。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
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