[发明专利]包含聚酰亚胺膜和电极的组合件以及与它们相关的方法无效

专利信息
申请号: 201080051784.0 申请日: 2010-11-19
公开(公告)号: CN102668108A 公开(公告)日: 2012-09-12
发明(设计)人: B·C·奥曼;M·L·邓巴;T·何;K·库塔基斯 申请(专利权)人: E.I.内穆尔杜邦公司
主分类号: H01L31/032 分类号: H01L31/032;H01L23/48;H05K1/03;C08K3/22;C08L79/08;C08J5/18
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 朱黎明
地址: 美国特*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本公开的组合件包含电极和聚酰亚胺膜。所述聚酰亚胺膜包含亚微米级填料和聚酰亚胺。所述聚酰亚胺衍生自至少一种芳族二酸酐组分和至少一种芳族二胺组分,所述芳族二酸酐组分选自刚棒二酸酐、非刚棒二酸酐以及它们的组合,所述芳族二胺组分选自刚棒二胺、非刚棒二胺以及它们的组合。所述二酸酐与二胺的摩尔比为48-52∶52-48,并且X∶Y的比率为20-80∶80-20,其中X为刚棒二酸酐和刚棒二胺的摩尔百分比,并且Y为非刚棒二酸酐和非刚棒二胺的摩尔百分比。所述亚微米级填料在至少一个尺寸上小于550纳米;具有大于3∶1的长宽比;在所有尺寸上小于所述膜的厚度。
搜索关键词: 包含 聚酰亚胺 电极 组合 以及 它们 相关 方法
【主权项】:
组合件,包括:A)具有5微米至150微米厚度的聚酰亚胺膜,所述膜包含:a)衍生自以下物质的聚酰亚胺:i)至少一种芳族二酸酐组分,所述芳族二酸酐组分选自刚棒二酸酐、非刚棒二酸酐以及它们的组合,ii)至少一种芳族二胺组分,所述芳族二胺组分选自刚棒二胺、非刚棒二胺以及它们的组合;并且其中基于所述聚酰亚胺的总二酸酐组分和总二胺组分计,所述二酸酐与二胺的摩尔比为48‑52∶52‑48,并且X∶Y的比率为20‑80∶80‑20,其中X为刚棒二酸酐和刚棒二胺的摩尔百分比,并且Y为非刚棒二酸酐和非刚棒二胺的摩尔百分比;和b)亚微米级填料:i)在至少一个尺寸上小于(数均)550纳米;ii)具有大于3∶1的长宽比;iii)在所有尺寸上小于所述聚酰亚胺膜厚度;iv)以所述聚酰亚胺膜的10体积%至45体积%的量存在;和B)被所述聚酰亚胺膜支撑的电极。
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